لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل : .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد صفحه : 65 صفحه
قسمتی از متن .doc :
احتمالا تاکنون مطالب زیادی در مورد رجیستری ویندوز شنیدهاید. اما آیا تابحال فکر کردهاید که چگونه میتوانید از این ویژگی ویندوز در برنامههای خودتان استفاده کنید؟ این مقاله به بررسی چگونگی دستیابی به رجیستری در ویژوال بیسیک دات نت می پردازد. رجیستری ویندوز یکی از پرکاربرد ترین مباحث در برنامه نویسی استاندارد ویندوز میباشد که اکثر برنامههای موجود از این امکان بهره میبرند. برای مثال می توان از رجیستری برای نگهداری آخرین تغییرات داده شده در برنامه و یا ذخیره تنظیماتی که کاربر در برنامه اعمال کرده است استفاده کرد. در NET. از دو کلاس Registry و RegistryKey برای دسترسی به رجیستری و دادههای موجود در آن استفاده میشود. هر ورودی در رجیستری ویندوز شامل دو قسمت میشود: نام مقدار (Value Name) و مقدار (Value). این ورودیها در در کلیدها و زیرکلیدهای رجیستری ذخیره میشوند که از این لحاظ میتوان آنها را با فایلهایی مقایسه کرد که در فهرستها و زیر فهرستها قرار میگیرند. دستیابی به رجیستری به وسیله توابع Visual Basic .NETویژوال بیسیک دات نت چهار تابع را برای کار با رجیستری معرفی میکند که برای استفاده از آنها شما باید اجازه خواندن و نوشتن، یعنی دسترسی RegistryPermissionAccess را داشته باشید. برای اطلاعات بیشتر در این مورد به کلاس RegistryPermission رجوع کنید. در زیر اطلاعاتی را در مورد این توابع مشاهده میکنید: نام تابع توضیحات DeleteSetting یک ناحیه یا یک کلید که شامل اطلاعات ورودی از برنامه در رجیستری است را حذف میکند. GetSetting مقدار یک کلید که شامل اطلاعات ورودی از برنامه در رجیستری است را برمیگرداند. GetAllSettings یک لسیت از کلیدها و ارزش آنها که شامل اطلاعات ورودی از برنامه در رجیستری است را برمیگرداند. SaveSetting اطلاعات برنامه را در رجیستری ذخیره میکند. نکته: : اطلاعات یک ناحیه نمیتواند توسط تابع GetSetting برگردانده شود. مثال زیر یک کلید و دو زیر کلید در رجیستری میسازد، ارزش کلید اول و ارزش دو زیر کلید آنرا را چاپ میکند سپس دومین زیر کلید را حذف و مقدار کلید اول و زیر کلیدهایش را چاپ میکند تا حذف زیر کلید دوم تایید شود: ' Create the first key.SaveSetting(''TestApp'',''Startup'', ''FirstKey'', ''First'')' Create the first subkey.SaveSetting(''TestApp'',''FirstKey'', ''FirstSubKey'', ''FirstSub'')' Create the second subkey.SaveSetting(''TestApp'',''FirstKey'', ''SecondSubKey'', ''SecondSub'')Try' Write the first key's value.Console.WriteLine((GetSetting(''TestApp'', ''Startup'', ''FirstKey''))' Write the first key as well as its two subkeys.Console.WriteLine(GetAllSettings(''TestApp'', ''Startup''))Catch e As ArgumentExceptionCatch e As ExceptionConsole.WriteLine(e.GetType.ToString)End TryDeleteSetting(''TestApp'', ''FirstKey'', ''SecondSubKey'')TryConsole.WriteLine(GetSetting(''TestApp'', ''Startup'', ''FirstKey''))Console.WriteLine(GetAllSettings(''TestApp'', ''Startup''))Catch e As ArgumentExceptionCatch e As ExceptionConsole.WriteLine(e.GetType.ToString)End Tryتوجه داشته باشید که استفاده از این توابع با محدودیتهایی همراه است. شما تنها میتوانید به کلیدهای رجیستری در محدوده HKEY_CURRENT_USER\Software\VB and VBA Program
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 44
رجیستری
حافظه های الکترونیکی Flash memory
RAID چیست
لپ تاپ های کوچولو
حافظه های الکترونیکی Flash memory
حافظه ها ی الکترونیکی با اهداف متفاوت و به اشکال گوناگون تاکنون طراحی و عرضه شده اند. حافظه فلش ، یک نمونه از حافظه های الکترونیکی بوده که برای ذخیره سازی آسان و سریع اطلاعات در دستگاههائی نظیر : دوربین های دیجیتال ، کنسول بازیهای کامپیوتری و ... استفاده می گردد. حافظه فلش اغلب مشابه یک هارد استفاده می گردد تا حافظه اصلی .
در تجهیزات زیر از حافظه فلش استفاده می گردد :
•تراشه BIOS موجود در کامپیوتر
•CompactFlash که در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد . •SmartMedia که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد •Memory Stick که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .
•کارت های حافظه PCMCIA نوع I و II
•کارت های حافظه برای کنسول های بازیهای ویدئویی
مبانی حافظه فلش
حافظه فلاش یک نوع خاص از تراشه های EEPROM است . حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و یا ستون از دو ترانزیستور استفاده می گردد. دو ترانزیستور فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها Floating gate و دیگری Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانیکه لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار یک ذخیره خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار یک به صفر از فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد. از Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسید .در نهایت شارژ فوق تخلیه می گردد( زمین ) .شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک پخش کننده الکترون رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاد و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 41
رجیستری
حافظه های الکترونیکی Flash memory
RAID چیست
لپ تاپ های کوچولو
حافظه های الکترونیکی Flash memory
حافظه ها ی الکترونیکی با اهداف متفاوت و به اشکال گوناگون تاکنون طراحی و عرضه شده اند. حافظه فلش ، یک نمونه از حافظه های الکترونیکی بوده که برای ذخیره سازی آسان و سریع اطلاعات در دستگاههائی نظیر : دوربین های دیجیتال ، کنسول بازیهای کامپیوتری و ... استفاده می گردد. حافظه فلش اغلب مشابه یک هارد استفاده می گردد تا حافظه اصلی .
در تجهیزات زیر از حافظه فلش استفاده می گردد :
•تراشه BIOS موجود در کامپیوتر
•CompactFlash که در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد . •SmartMedia که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد •Memory Stick که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .
•کارت های حافظه PCMCIA نوع I و II
•کارت های حافظه برای کنسول های بازیهای ویدئویی
مبانی حافظه فلش
حافظه فلاش یک نوع خاص از تراشه های EEPROM است . حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و یا ستون از دو ترانزیستور استفاده می گردد. دو ترانزیستور فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها Floating gate و دیگری Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانیکه لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار یک ذخیره خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار یک به صفر از فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد. از Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسید .در نهایت شارژ فوق تخلیه می گردد( زمین ) .شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک پخش کننده الکترون رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاد و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. در صورتیکه جریان گیت بیشتر از 50 درصد
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 41
رجیستری
حافظه های الکترونیکی Flash memory
RAID چیست
لپ تاپ های کوچولو
حافظه های الکترونیکی Flash memory
حافظه ها ی الکترونیکی با اهداف متفاوت و به اشکال گوناگون تاکنون طراحی و عرضه شده اند. حافظه فلش ، یک نمونه از حافظه های الکترونیکی بوده که برای ذخیره سازی آسان و سریع اطلاعات در دستگاههائی نظیر : دوربین های دیجیتال ، کنسول بازیهای کامپیوتری و ... استفاده می گردد. حافظه فلش اغلب مشابه یک هارد استفاده می گردد تا حافظه اصلی .
در تجهیزات زیر از حافظه فلش استفاده می گردد :
•تراشه BIOS موجود در کامپیوتر
•CompactFlash که در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد . •SmartMedia که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد •Memory Stick که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .
•کارت های حافظه PCMCIA نوع I و II
•کارت های حافظه برای کنسول های بازیهای ویدئویی
مبانی حافظه فلش
حافظه فلاش یک نوع خاص از تراشه های EEPROM است . حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و یا ستون از دو ترانزیستور استفاده می گردد. دو ترانزیستور فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها Floating gate و دیگری Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانیکه لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار یک ذخیره خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار یک به صفر از فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد. از Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسید .در نهایت شارژ فوق تخلیه می گردد( زمین ) .شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک پخش کننده الکترون رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاد و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. در صورتیکه جریان گیت بیشتر از 50 درصد
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل : .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد صفحه : 65 صفحه
قسمتی از متن .doc :
احتمالا تاکنون مطالب زیادی در مورد رجیستری ویندوز شنیدهاید. اما آیا تابحال فکر کردهاید که چگونه میتوانید از این ویژگی ویندوز در برنامههای خودتان استفاده کنید؟ این مقاله به بررسی چگونگی دستیابی به رجیستری در ویژوال بیسیک دات نت می پردازد. رجیستری ویندوز یکی از پرکاربرد ترین مباحث در برنامه نویسی استاندارد ویندوز میباشد که اکثر برنامههای موجود از این امکان بهره میبرند. برای مثال می توان از رجیستری برای نگهداری آخرین تغییرات داده شده در برنامه و یا ذخیره تنظیماتی که کاربر در برنامه اعمال کرده است استفاده کرد. در NET. از دو کلاس Registry و RegistryKey برای دسترسی به رجیستری و دادههای موجود در آن استفاده میشود. هر ورودی در رجیستری ویندوز شامل دو قسمت میشود: نام مقدار (Value Name) و مقدار (Value). این ورودیها در در کلیدها و زیرکلیدهای رجیستری ذخیره میشوند که از این لحاظ میتوان آنها را با فایلهایی مقایسه کرد که در فهرستها و زیر فهرستها قرار میگیرند. دستیابی به رجیستری به وسیله توابع Visual Basic .NETویژوال بیسیک دات نت چهار تابع را برای کار با رجیستری معرفی میکند که برای استفاده از آنها شما باید اجازه خواندن و نوشتن، یعنی دسترسی RegistryPermissionAccess را داشته باشید. برای اطلاعات بیشتر در این مورد به کلاس RegistryPermission رجوع کنید. در زیر اطلاعاتی را در مورد این توابع مشاهده میکنید: نام تابع توضیحات DeleteSetting یک ناحیه یا یک کلید که شامل اطلاعات ورودی از برنامه در رجیستری است را حذف میکند. GetSetting مقدار یک کلید که شامل اطلاعات ورودی از برنامه در رجیستری است را برمیگرداند. GetAllSettings یک لسیت از کلیدها و ارزش آنها که شامل اطلاعات ورودی از برنامه در رجیستری است را برمیگرداند. SaveSetting اطلاعات برنامه را در رجیستری ذخیره میکند. نکته: : اطلاعات یک ناحیه نمیتواند توسط تابع GetSetting برگردانده شود. مثال زیر یک کلید و دو زیر کلید در رجیستری میسازد، ارزش کلید اول و ارزش دو زیر کلید آنرا را چاپ میکند سپس دومین زیر کلید را حذف و مقدار کلید اول و زیر کلیدهایش را چاپ میکند تا حذف زیر کلید دوم تایید شود: ' Create the first key.SaveSetting(''TestApp'',''Startup'', ''FirstKey'', ''First'')' Create the first subkey.SaveSetting(''TestApp'',''FirstKey'', ''FirstSubKey'', ''FirstSub'')' Create the second subkey.SaveSetting(''TestApp'',''FirstKey'', ''SecondSubKey'', ''SecondSub'')Try' Write the first key's value.Console.WriteLine((GetSetting(''TestApp'', ''Startup'', ''FirstKey''))' Write the first key as well as its two subkeys.Console.WriteLine(GetAllSettings(''TestApp'', ''Startup''))Catch e As ArgumentExceptionCatch e As ExceptionConsole.WriteLine(e.GetType.ToString)End TryDeleteSetting(''TestApp'', ''FirstKey'', ''SecondSubKey'')TryConsole.WriteLine(GetSetting(''TestApp'', ''Startup'', ''FirstKey''))Console.WriteLine(GetAllSettings(''TestApp'', ''Startup''))Catch e As ArgumentExceptionCatch e As ExceptionConsole.WriteLine(e.GetType.ToString)End Tryتوجه داشته باشید که استفاده از این توابع با محدودیتهایی همراه است. شما تنها میتوانید به کلیدهای رجیستری در محدوده HKEY_CURRENT_USER\Software\VB and VBA Program