پاورپوینتی در مورد تست ذرات مغناطیسی

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : پاورپوینت

نوع فایل :  .ppt ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد اسلاید : 34 اسلاید

 قسمتی از متن .ppt : 

به نام خدا تست ذرات مغناطیسی

فهرست مطالب

کاربردعمومی تست ذرات مغناطیسی

جهت دهی میدان مغناطیسی

نوع جریان مغناطیسی شده

میزان جریان مغناطیس کننده

ذرات مغناطیسی

روند عملیات در تست ذرات مغناطیسی

تجهیزات

کاربردعمومی تست ذرات مغناطیسی

تست ذرات مغناطیسی یک روش غیر مخرب برای شناسایی ناپیوستگی های سطحی و یا نزدیک به سطح در مواد مغناطیسی است.

N

S

IRON POWDER

S

N

N

S

IRON POWDER

CRACK

CRACK

این روش بر پایه این اصل است که خطوط نیروی مغناطیسی در یک ماده فرومغناطیس توسط ناپیوستگی های موجود در ماده، مانند یک ناپیوستگی و یا تغییرابعادی سریع، دچار تخریب خواهند شد.

پاورپوینتی در مورد تست های کلیوی

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : پاورپوینت

نوع فایل :  .pptx ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد اسلاید : 17 اسلاید

 قسمتی از متن .pptx : 

تست های کلیوی

اوره ( Urea )

محل تشکیل : در کبد در طی سیکل اوره

افزایش دفع اوره : رژیم غذایی پروتئین دار، دیابت ، تب

در عمل اکثر بجای اوره نیتروژن اوره( BUN ) اندازه گیری می شود.

جهت تبدیل اوره به BUN و بلعکس از فرمول زیر استفاده می شود:

BUN*2.14 = Urea

اوره سرم، پلاسما، ادرار و سایر مایعات بدن اندازه گیری می شود.

در عرض چند ساعت باید اندازه گیری شود.

در غیر این صورت باکتری ها آن را تجزیه کرده و مقدار آن در نمونه کاهش می یابد.

جهت نگهداری از یخچال یا فریزر

در سرم 10 روز پایدار

همولیز اثر کمی دارد.

ناشتا نبودن اثر کمی دارد.

اهمیت بالینی

سنجش اوره معمولاً به منظور ارزیابی کار کلیه است.

هر چند ارزیابی به علت تغییرات وسیع در متابولیسم ارتباط چندانی با عملکرد کلیه ندارد.

افزایش اوره به علل:

پیش کلیوی (Pre-Renal)

کلیوی(Renal)

پس کلیوی(Post- Renal)

پیش کلیوی(Pre - Renal)

افزایش تولید

در رژیم پر پروتئین

افزایش کاتابولیسم

تحلیل ماهیچه ای

باز جذب پروتئین های خون به دنبال خونریزی گوارشی

کاهش جریان خون

درشوک و کاهش برون ده قلبی

کلیوی (Renal)

آسیب پارانشیم کلیه

پس کلیوی( Post- Renal)

انسداد مجاری ادراری

افزایش :

در رژیم پر پروتئین

هورمون های تیروئیدی به علت اثر کاتابولیک

گلوکورتیکوئیدها به علت اثر آنتی آنابولیک

به طور کلی در افزایش کاتابولیسم مانند تب ، استرس و سوختگی

فایل فلش تبل چینی سالم تست شده برای elink mv706z ram 512mb

فایل فلش تبل چینی سالم تست شده برای elink mv706z ram 512mb

فایل فلش تبلت چینی تست شده سالم elink mv706z v2 ram 1gb

فایل فلش تبلت چینی تست شده سالم elink mv706z v2 ram 1gb

مقاله. آزمایش تست دیود

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 7

آزمایش تست دیود

وسایل مورد نیاز : یک منبع متناوب با فرکانسHz50 ، یک عدد مقاومت 1 k اهم و یک مقاومت 1000k اهم و دیود برد بورد .

هدف از این آزمایش تست کردن دیود می باشد و قسمتی که مقاومت بیشتری را نشان می دهد کاترو قسمت دیگر آن را است .

نکته : در زمان هدایت دیود اتصال کوتاه می باشد .

مدار را مانند شکل مقابل روی برد بورد نصب کرد و توسط قانون KVL و VS را بدست می آوریم

KVL = VS + 100 ID + VD = 0

VS = 100 ID + VD

VS = 100 ID

در مرحله دوم مقاومت 1 k اهم را از مدار جدا کرده و دوباره VS را بدست می آوریم .ولی به منبع DC وصل می کنیم .

VR = 100 IS IS = ID = =

KVL= VS + VR+ VD = 0

VS = VR + VD

VS = 100IS + VD

8

6

4

2

VS

800

600

400

200

VR

15،6

25

50

ID

آزمایش اندازه گیری ولتاژ جریان پر مقاومت

وسایل مورد نیاز : یک مقاومت 10K اهم و یک منبع DC 10V و دو عدد مقاومت 1 K اهم و ولتی متر .

نکته قابل توجه در این آزمایش داغ شدن مقاومت 1 K اهم می باشد دلیل این اتفاق این است که چون مقاومت به صورت موازی با منبع قرار دارد مثل یک مقاومت سری با منبع عمل می کند و به همین دلیل جریان زیاد می کشد که این عمل باعث داغ شدن آن می شود .

برای اینجام این آزمایش در ابتدا جریان کل ولتاژ ها را بدست می آوریم سپس توسط یک مولتی متر جواب ها را با هم مقایسه می کنیم .

IEJ = = 0.95 ( MA )

V2 = V3 0.5 × 103 × 0.95 × 10-3 ~ 0.47 (V )

V2 = 10 × 103 × 0.95 × 10-3 = 9.5 ( V )

L2 = = = 0.47 ( MA )

I3 = = = 0.47 ( MA )

KCL : I1 = I2 + I3 = 0.47MA + 0.47MA = 0.95MA

V10K = 9.57 V1K = 0.47

I10K = 0.93 MA I1K = 0.46 MA

V1K = 0.47

I1K = 0.47

آزمایش استفاده از دیود زنر به عنوان رگولاتور

وسایل مورد نیاز : منبع DC ، مقاومت 470 اهم ، دیود زنر ، برد بورد و مولتی متر

ابتدا مدار فوق را بر روی برد بورد نصب می کنیم و سپس ولتاژ DC را به صورت متناوب تا 30V بالا می بریم و عملکرد زنر را به عنوان تثبیت کننده ولتاژ خوبی مشاهده می کنیم . این عملکرد را توسط مولتی متر اندازه گیری می کنیم .

30

25

20

14

12

10

5

VS

5.74

5.69

5.63

5.51

5.33

4.89

2.52

V0

MA

0.2

0.02A

0.05A

0.10A

0.17A

0.29A

0.43A

I

هدف : دراین آزمایش هدف این است که مقادیر ولتاژ و جریان را که از مقاومت عبور می کند بدست آوریم .

بعد از بستن مدار روی برد بورد و اندازه گیری ولتاژ و جریان مقاومت ها مقادیر زیر بدست می آید .

V1K = 15 V1K = 1.23

I1K = 1.2 MA I1K =

V10K = 13.88 V10K = 1.23

I10K = 1.2 MA I10K =

بدلیل موازی بودن با مقاومت 1 K اهم ولتاژ برابر است .

نکته : عیبی که این مدار دارد عبور جریان زیاد از مقاومت 1 K اهم و داغ شدن به دلیل کم بودن با مقدار آن می باشد .