تحقیق در مورد مقاومت و دیود

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 10 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

پاسارد 700

   - خصوصیات فنی مهندسی گیت

   - مشخصات سیستم مدیریتی گیت

پاسارد 700

اگر بیان برتری های گیت  PASSARD 700  را خودستائی تعبیر نفرمائید باید گفت این گیت یکی از پیشرفته ترین نمونه های موجود در میان انواع مشابه خود میباشد .که حاصل هشت سال تحقیق و تولید مداوم متخصصین این شرکت در ایران  بوده و  از نظر کارا ئی میتواند با انواع نمونه های خارجی مشابه رقابت نماید و حتی در مواردی از آنها برتر باشد .

PASSARD 700  را میتوان یک گیت نسل جدید نامید ، زیرا اولین گیت صد در صد هوشمند است که نسبت به نسلهای قبلی خود از ویژگیها و امکانات بسیار پیشرفته تری برخوردار میباشد ، و به همین دلیل ، چه از نظر ظاهری و ساختار فیزیکی و چه از نظر سیستم الکترونیکی با انواع مدل های قدیمی خود قابل مقایسه نمیباشد  و بهترین گواه براین مهم ، مقایسه خصوصیات ظاهری و  پارامترهای الکترونیک موجود در آن ، نسبت به مدل های قدیمی است .

همچنین میتوان از مهمترین ویژگی های این گیت جدا از مسائل فنی نسبت به انواع مشابه خارجی ، به موارد ذیل توجه نمود :

1- توسط هموطنان شما طراحی وتولید گردیده است .

2- دارای ضمانت یک ساله وخدمات بعد از فروش  دائم که یکی از مهمترین فاکتورهای مطرح در استفاده از تجهیزات فنی است میباشد .

3- بهای آن به نسبت قابل ملا حظه ای کمتر از انواع مشابه خارجی است و هزینه های بیمه ، حمل  و گمرکی کالاهای وارداتی را ندارد .

4- خرید آن ضمن حمایت از صنعت داخلی موجب عدم خروج ارز از کشور میگردد .

5- مشکلات ثبت و سفارش و دریافت مجوز ترخیص و دیگر مشکلات تبعی آنرا ندارد .

6- زمان سفارش و دریافت آن  به نسبت گیت های خارجی به مراتب کمتر و در مواردی بلافاصله میباشد .

خصوصیات فنی مهندسی گیت    PASSARD 700

الف : دروازه عبور

دروازه عبور گیت شامل دو دیواره و یک کتیبه میباشد که قسمت های مختلف آن در ذیل بطور مختصر تشریح شده است :

1- دیواره ها :

واضح است که دیواره های گیت میبایست با استفاده از مواد غیر فلزی ساخته شود ، لذا با توجه به عدم استحکام و نازکی ورق های پلاستیکی ، هردو دیواره گیت  از MDF  8 میلیمتر که نوعی ماده چوبی ضد آب و رطوبت میباشد ، ساخته شده است و برای زیبائی و استحکام بیشتر در مقابل تأثیر عوامل جوی با FORMICA  روکش گردیده اند.

2- لبه جلو و عقب دیواره ها  :

تجربه نشان داده است که آسیب پذیرترین قسمت بدنه گیت این لبه ها میباشند ، زیرا هم در زمان حمل و نقل و هم در زمان استفاده از گیت در معرض بر خورد با عوامل اطراف خود هستند ، به همین دلیل وبرخلاف اکثر گیت های خارجی که لبه دیواره های آنها از پلاستیک ساخته شده  در PASSARD 700  لبه دیواره ها توسط یک قاب ساخته شده از ، آلومینیوم  5/1 میلیمتر با پوشش رنگ استاتیک ، پوشیده شده است ، این قاب ضمن افزایش زیبائی ظاهری گیت به نحوی طراحی شده که کلیه قسمت های دیگر دیواره از قبیل : چراغ های بخش MULTIPLE DISPLAY  ، قسمت های روکش پلاستیکی مخصوص این چراغ ها ،کلیه کابل های انتقال تغذیه وسایر امکانات گیت را درخود جای دهد و بعنوان یک شیلد ضد نویز برای کلیه این کابلها بخصوص کابلهای تغذیه 220 ولت و باطری 12 ولت External ایفای نقش نماید .

3- پوشش ابتدائی و انتهائی دیواره :

به منظور مختصر نویسی نام این دو بخش ، آنها را به ترتیب درب و کفش مینامیم

هردو بخش فوق توسط ورق پلاستیک 3 میلیمتر ساخته شده است اما به دلیل استحکام کفش ، بدنه آن بصورت دو جداره طراحی گردیده و سپس فضای بین جداره ها با نوعی رزین مخصوص و بسیار مقاوم کاملا پرشده است تا بتواند ضمن تحمل وزن کلی گیت ، در مقابل فشارهای ناشی از جابجائی گیت نیز مقاومت نماید .

4- کتیبه :

 قسمت بالائی گیت کتیبه نام دارد که کلیه تجهیزات الکترونیک گیت در آن نصب میگردد و دودیواره گیت را بهم مرتبط مینماید لذا باید از استحکام کافی برخوردار باشد به همین دلیل کل بدنه کتیبه با استفاده از MDF  16 میلیمتر و روکش FORMICA  ساخته شده است و قسمت هائی از آن بمنظور زیبائی با  رنگ مخصوص پوشش داده شده است .

5- پانل نمایشگر گیت :

صفحه نمایشگر گیت ، در روی کتیبه تعبیه شده که حاوی 12 عدد نمایشگر ماتریس ( 4 سبز و 8 قرمز ) جهت مشاهده کلیه تنظیمات و اطلاعات سیستم میباشد ، همچنین  شما میتوانید با استفاده از4 عدد شاسی کلیه عملیات ،  ورود ، خروج ، تغییر و ثبت اطلاعات را مطابق نظر خود انجام دهید.    

شکل زیر ابعاد هندسی دروازه عبور را بطور نسبی نشان میدهد :

 ب : الکترونیک در PASSARD 700 :

دراین قسمت نوع سیستم و مدارات الکترونیک استفاده شده در PASSARD 700  بطور مختصر تشریح شده است

1- نوع سیستم

درگیت های نسل قدیم معمولا یکی از سه سیستم  :

1- فرستنده و گیرنده رادیوئی Transmitter & Receiver  با علامت اختصاری TR

مقاله درباره آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 36

آشنایی با ساختمان و عملکرد

نیمه هادی دیود و ترانزیستور

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک و تنارد کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل

تحقیق درباره. آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 36

آشنایی با ساختمان و عملکرد

نیمه هادی دیود و ترانزیستور

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک و تنارد کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل

مصاحبه تخصصی رشته الکترونیک و سخت افزار کامپیوتر

اگر قصد شرکت در مصاحبه ارگان های مختلف برای رشته الکترونیک دارید این فایل در مدت زمان کوتاهی شما را کاملا اماده می کند، اگر مدتی از درس دور بوده اید و نیاز دارید که مجددا مفاهیم اساسی را به سرعت مرور کنید این کتاب به بهترین نحو به شما کمک می کند.

این کتاب دارای 233صفحه است و تمام مفاهیم الکترونیک به همراه نحوه تست انواع قطعات بصورت تصویری و با جزئیات کامل نشان داده است.

همچنین در این کتاب به معرفی قطعات مختلف کامپیوتر و نحوه عیب یابی و تعمیر آن ها نیز پرداخته شده است و برای رشته های کامپیوتر نیز مناسب است.

این کتاب علاوه بر مناسب بودن برای مصاحبه میتواند مرجع عالی برای افزایش توانایی شما در تست و تعمیر تجهیزات الکترونیکی باشد.

مقاله. آزمایش تست دیود

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 7

آزمایش تست دیود

وسایل مورد نیاز : یک منبع متناوب با فرکانسHz50 ، یک عدد مقاومت 1 k اهم و یک مقاومت 1000k اهم و دیود برد بورد .

هدف از این آزمایش تست کردن دیود می باشد و قسمتی که مقاومت بیشتری را نشان می دهد کاترو قسمت دیگر آن را است .

نکته : در زمان هدایت دیود اتصال کوتاه می باشد .

مدار را مانند شکل مقابل روی برد بورد نصب کرد و توسط قانون KVL و VS را بدست می آوریم

KVL = VS + 100 ID + VD = 0

VS = 100 ID + VD

VS = 100 ID

در مرحله دوم مقاومت 1 k اهم را از مدار جدا کرده و دوباره VS را بدست می آوریم .ولی به منبع DC وصل می کنیم .

VR = 100 IS IS = ID = =

KVL= VS + VR+ VD = 0

VS = VR + VD

VS = 100IS + VD

8

6

4

2

VS

800

600

400

200

VR

15،6

25

50

ID

آزمایش اندازه گیری ولتاژ جریان پر مقاومت

وسایل مورد نیاز : یک مقاومت 10K اهم و یک منبع DC 10V و دو عدد مقاومت 1 K اهم و ولتی متر .

نکته قابل توجه در این آزمایش داغ شدن مقاومت 1 K اهم می باشد دلیل این اتفاق این است که چون مقاومت به صورت موازی با منبع قرار دارد مثل یک مقاومت سری با منبع عمل می کند و به همین دلیل جریان زیاد می کشد که این عمل باعث داغ شدن آن می شود .

برای اینجام این آزمایش در ابتدا جریان کل ولتاژ ها را بدست می آوریم سپس توسط یک مولتی متر جواب ها را با هم مقایسه می کنیم .

IEJ = = 0.95 ( MA )

V2 = V3 0.5 × 103 × 0.95 × 10-3 ~ 0.47 (V )

V2 = 10 × 103 × 0.95 × 10-3 = 9.5 ( V )

L2 = = = 0.47 ( MA )

I3 = = = 0.47 ( MA )

KCL : I1 = I2 + I3 = 0.47MA + 0.47MA = 0.95MA

V10K = 9.57 V1K = 0.47

I10K = 0.93 MA I1K = 0.46 MA

V1K = 0.47

I1K = 0.47

آزمایش استفاده از دیود زنر به عنوان رگولاتور

وسایل مورد نیاز : منبع DC ، مقاومت 470 اهم ، دیود زنر ، برد بورد و مولتی متر

ابتدا مدار فوق را بر روی برد بورد نصب می کنیم و سپس ولتاژ DC را به صورت متناوب تا 30V بالا می بریم و عملکرد زنر را به عنوان تثبیت کننده ولتاژ خوبی مشاهده می کنیم . این عملکرد را توسط مولتی متر اندازه گیری می کنیم .

30

25

20

14

12

10

5

VS

5.74

5.69

5.63

5.51

5.33

4.89

2.52

V0

MA

0.2

0.02A

0.05A

0.10A

0.17A

0.29A

0.43A

I

هدف : دراین آزمایش هدف این است که مقادیر ولتاژ و جریان را که از مقاومت عبور می کند بدست آوریم .

بعد از بستن مدار روی برد بورد و اندازه گیری ولتاژ و جریان مقاومت ها مقادیر زیر بدست می آید .

V1K = 15 V1K = 1.23

I1K = 1.2 MA I1K =

V10K = 13.88 V10K = 1.23

I10K = 1.2 MA I10K =

بدلیل موازی بودن با مقاومت 1 K اهم ولتاژ برابر است .

نکته : عیبی که این مدار دارد عبور جریان زیاد از مقاومت 1 K اهم و داغ شدن به دلیل کم بودن با مقدار آن می باشد .