تحقیق درباره| رجیستری حافظه های الکترونیکی Flash memory و RAID چیست لپ تاپ های کوچولو

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 41

رجیستری

حافظه های الکترونیکی Flash memory

RAID چیست

لپ تاپ های کوچولو

حافظه های الکترونیکی Flash memory

حافظه ها ی الکترونیکی با اهداف متفاوت و به اشکال گوناگون تاکنون طراحی و عرضه شده اند. حافظه فلش ، یک نمونه از حافظه های الکترونیکی بوده که برای ذخیره سازی آسان و سریع اطلاعات در دستگاههائی نظیر : دوربین های دیجیتال ، کنسول بازیهای کامپیوتری و ... استفاده می گردد. حافظه فلش اغلب مشابه یک هارد استفاده می گردد تا حافظه اصلی .

در تجهیزات زیر از حافظه فلش استفاده می گردد :

•تراشه BIOS موجود در کامپیوتر

•CompactFlash که در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد . •SmartMedia که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد •Memory Stick که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .

•کارت های حافظه PCMCIA نوع I و II

•کارت های حافظه برای کنسول های بازیهای ویدئویی

مبانی حافظه فلش

حافظه فلاش یک نوع خاص از تراشه های EEPROM است . حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و یا ستون از دو ترانزیستور استفاده می گردد. دو ترانزیستور فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها Floating gate و دیگری Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانیکه لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار یک ذخیره خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار یک به صفر از فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد. از Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسید .در نهایت شارژ فوق تخلیه می گردد( زمین ) .شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک پخش کننده الکترون رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاد و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. در صورتیکه جریان گیت بیشتر از 50 درصد

تحقیق در مورد حافظه 23 ص

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 24 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

Linua memory management on laryer machines

Abstrct

مقداری زیادی از کارها به داخل زیر سیستم مدیرت حافظه در سریهای کرنل l inux.2.5 منتقل شده است و نسبت به تا (سیستم حافظه مجالس ) حالت پایداری بیشتری را در تنوعات زیادی از پارمان کاری دارد. و همچنین بیشتر مسائل مقیاس پذیری حل شده و منجر به عملکرد بیشتر mamgement memory بر روی ماشینهای بزرگبر ( با ram بیش از 1GB یا دارای بیش از یک praccassor یا هر دو ) شده است. بعضی از این تغییرات برای ماشینها ی کوچک نیز سودمند است و در سریهای کرنل 2..4 تقسیمات اصلی linux به طور گسترده‌ای از کرنل mainline بخصوص از محیط um منشعب شده است.

این مسئله باعث به وجود آمدن مداوم مسائلی و تلاش مضاعف به هدر رفته در ویژگیهای پیاده سازی می‌شود سریهای 2.5 گشته ( در آنها هم هست ). سریهای 2.4 تحت مدیریت andrew morton است که بنیان مستحکم برای پیشرفتهای آتی فراهم می‌آورد. و همچنین پتانسیل بیشتری برای کار مشترک بیشتر ، این مقدار در صورت تغییرات که در سیستم 1inux um بهای 2.5 صورت گرفته است که به طور قابل ملاحظه‌ای ماشینهای بزرگبر را فشرده می‌کند می‌کند و همچنین تغییراتی که برای آینده می‌شوند را در بر می‌گیرد که بیشتر آنها در حال حاضر به عنوان قطعات جدا موچود می‌شوند ماشینهای بزرگبر همچنین باید از عهدة تعداد زیادی از فعالیتهای همزمان بر آیند که منظور من حد تا می‌باشد. به منظور سادگی و صراحت و اختیار ما ، ماشین l A 32 با mode PAE با طرح حافظه فرمان را در این مقاله در نظر می‌گیریم این محاسبات بر روی یک سیستم 16-cpu numa-o

( ) گرفته است.

Lntrodueticn

اقتصاد بازار و رواج سیستمهای 32bit بزرگ را تحمیل می‌کند با وجود اینکه نرم افزار هم بوجود می‌آید گرجه chip های 64bit ارزان شروع به ظهور کردن اما آنها هنوز مانند سیستمهای بزرگ در دسترس نیستند اگر چه تکنیکها و دست آوردهای توصیف شده در این مقاله ، بدون هیچ هدفی تنها در این ماشینها کاربرد دارد

محیط مجازی erlobal kernel

شکل اساسی ماشینهای 3.2bit فقدان فضای آدرس دهی مجازی هم برای کاربرد و هم کرنل 3.2bit ما را محدود به 4Gb می‌کند هر فضای آدرس دهی پردازشهای کاربر فقط مربئط به همان فرآیند می‌شود اما فضای آدرس دهی کرنل ، erlobal است برای تعمین عملکرد مناست در فضای آدرس دهی کاربر با فضای آدرس دهی کرنل تقسیم می‌شود ( به اشتراک گذاشته می‌شود )

« شکل ْ1 »

انشعاب فضای آدرس دهی پیش فرض 0------

ممکن است که بتوان این انشعاب را تغییر داد اما اغلب مطلوب نیست بعضی از کاربردها نظیر بانکهای اطلاعاتی به مقدار خیلی زیادی فضای آدرس دهی برای پردازش نیاز دارند در صورتیکه کرنل نیازمند فضای زیادی برای ساختارهای اطلاعاتی خواص باشد. اولین حافظه فیزیکی 896 mB به صورت 1:1 در فضای آدرس دهی erlobal مشترک نقاشی کند. این دامنه حافظه به

عنوان حافظه پایین شناخته می‌شود ( zone-normal ) حافظه بیش از 896mB بعنوان حافظه بزرگ شناخته می‌شود ( zome-hiGihmem ) هرچه بیشتر حافظه فیزیکی به ماشین اضافه شود فشار بیشتری را بر محیط کرنل erlobal وارد آودره‌ایم ، کرنل استاندارد linux 2.4 از عهده مقادیر زیادی از حافظه بر می‌آید شاید در بهترین حالت به 4GB محدود شود اشتعابات inler price ، linux 2.4 با

تحقیق در مورد حافظه پایدار

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 13 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

به نام خدا

حافظه پایدار : حافظه پایدارحتی با از دست دادن قدرت ، مضمون خود را حفظ می کند .

ROM : خواننده حافظه ( ROM ) برنامه ای تلفیق داده شده است که در هنگام تولید حاوی داده های خاص می باشد .

ریزه های ROM حاوی شبکه ای از فتون ها و ردیف ها می باشد . این ستون ها و ردیف ها همدیگر را قطع می کنند . اگر مقدار 1 باشد یک دیود ، خطوط را به هم وصل می کند . اگر مقدار 0 باشد خطوط هرگز به هم وصل نخواهد شد .

ROM چگونه کار می کند .

ROM P : ROM P ، خواننده حافظه ای برنامه ریزی شده و پایداری می باشد که به صورت خالی ساخته شده است . و بعدها با داده های خاصی پر می گردد .

برنامه نویسی می تواند یک بار انجام گیرد . پس از برنامه نویسی داده ها همیشه در IC ذخیره می گردند . ریزه های خالی ROM P به صورت ارزان توسط برنامه ریزان خریداری می گردد .

ROM P ، شبکه های ستونی و ردیفی درست مثل ROM های معمولی دارند . تفاوت این است که نقاط مشترک ردیف ها و ستون ها در ریزه های ROM P به کمک فیوز به هم وصل می شوند . شارژی که وارد ستون می شود از فیوز ردیف زمینی عبور می کند و عدد 1 را نشان می دهد ، چون همه سلول ها فیوز دارند ، پس موقعیت اولیه ROM P هم 1 می شود . برای تغییر این مقدار به 0 ، شما از برنامه ریزی استفاده کنید که جریانی خاص را وارد سلول کند . ولتاژ بالاتر باعث شکست اتصال بین ستون و ردیف می شود . این مرحله به سوزاندن ROM P معروف است .

چطور ROM P کار می کند ؟

ROM P : خواندده حافظه قابل برنامه ریزی محو شونده (ROM P ) ریزه های ROM P را راه می اندازد و ROM P ها بارها قابل نوشتن هستند . دو ترانزیستور بالایه نازکی از اکسید از هم جدا می شوند . یکی از ترانزیستورها به دروازه شناور و دیگری به دورازه کنترل معروف است . دروازه شناور در طول دروازه کنترل به ردیف وصل می گردد .

در طول محل اتصال مقدار 1 است . برای تغییر آن به 0 باید اکسترون های را وارد دروازه شناور نموده . شارژ الکتریکی از 10 به 13 می رسد . این شارژ برای دروازه شناور به کار می رود و بیت ها به 0 می رسد .

تمام ورودی های ( دروازه ها ) . ROM P کاملاً باز هستند ، و به هر سلول مقدار 1 می دهند . برنامه نویسی ، سلول های مورد نیاز را به 0 می رساند . برای نوشتن مجدد ROM P ابتدا باید آن را پاک کنید . پاک کردن ROM P نیازمند ابزاری خاص است که نوار فرابنفش uv به طول موج ( mm 25307 ) از خود ساطع کند . پاک کننده ROM P ، انتخابی نیست و کا ROM P را پاک خواهد نمود این کار چند دقیقه طول می کشد ( پاک کردن بیش از حد مخرب است ، مراقب این کار باشید ) . ROM P ها از برنامه ریزی استفاده می کنند که بسته به نوع ROM P از ولتاژ خاصی استفاده کنند .

EEPROM : خواننده حافظه قابل برنامه ریزی و محو و الکتریکی EEPROM می تواند به صورت الکتریکی برنامه ریزی و پاک شود . در لحظه EEPROM ها یک بایت تغییر می کنند و پاک کردن آنها وقت گیر است . عیب EEPROM ها ، سرعت آنها ات . سرعت EEPROM در برخی از تولیدات آنقدر کم است که باعث تغییر سریع داده ها می گردد EEPROM ها در وسایل الکتریکی که برای حفظ داده های کوچک پایدار با سرعت پائین به کار می روند ، موجود است EEPROM های کوچک با فصول مشترک سرپایی در خیلی از وسایل الکترونیکی یافت می گردند.

EEPROM ها و حافظه های نوری چطور کار می کنند .

Flash (نور): حافظه نوری نوعی از EEPROM ها است که در وایرهای چرخشی به کمک به رشته الکتریکی در کیل ریزه یا قسمت از قبل تعیین شده ریزه که بلوک برای پاک کردن نام دارد به کار می رود. ضیاش های نوری خیلی سریع تر از EEPROM های قدیمی کار می کند چون داده ها را در قطعاتی که به اندازه K5 جا دارند می نویسند (به جای ابایت). حافظه های نوری کاربردهای فراوانی دارند. ریزه های PC BIOS فرم بسیار معروفی از حافظه نوری می باشد. ابزار جامد قابل رفع به طور چشم گیری فراگیر شده اند. کارت های COMPAT FLASH, SMART MEDIA خیلی معروفند به خصوص فیلم های الکترونیکی دوربین هایی دیجیتالی.

(برچسب حافظه)

بقیه تولیات قابل رفع شامل Memory Stick، کارت های حافظه PCMCIA و کارت هایی حافظه ای سیستم های بازی های ویدئویی است.

F RAM/FE RAM : F RAM (حافظه در دسترس اتفاقی ضروالکتریک نوعی حافظه پایدار است (NS200-70) پایدار بوده و برنامه نویسی چرخشی دارد.

سلول فرالکتریک شامل، خاطن فروالکتریک (نیم رسانایی اکسید فلز) و ترانزیستور MOS است. ساختار آن شبیه به سلول نگهداری DRAM است.

تحقیق. رجیستری حافظه های الکترونیکی Flash memory و RAID چیست لپ تاپ های کوچولو

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 41

رجیستری

حافظه های الکترونیکی Flash memory

RAID چیست

لپ تاپ های کوچولو

حافظه های الکترونیکی Flash memory

حافظه ها ی الکترونیکی با اهداف متفاوت و به اشکال گوناگون تاکنون طراحی و عرضه شده اند. حافظه فلش ، یک نمونه از حافظه های الکترونیکی بوده که برای ذخیره سازی آسان و سریع اطلاعات در دستگاههائی نظیر : دوربین های دیجیتال ، کنسول بازیهای کامپیوتری و ... استفاده می گردد. حافظه فلش اغلب مشابه یک هارد استفاده می گردد تا حافظه اصلی .

در تجهیزات زیر از حافظه فلش استفاده می گردد :

•تراشه BIOS موجود در کامپیوتر

•CompactFlash که در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد . •SmartMedia که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد •Memory Stick که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .

•کارت های حافظه PCMCIA نوع I و II

•کارت های حافظه برای کنسول های بازیهای ویدئویی

مبانی حافظه فلش

حافظه فلاش یک نوع خاص از تراشه های EEPROM است . حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و یا ستون از دو ترانزیستور استفاده می گردد. دو ترانزیستور فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها Floating gate و دیگری Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانیکه لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار یک ذخیره خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار یک به صفر از فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد. از Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسید .در نهایت شارژ فوق تخلیه می گردد( زمین ) .شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک پخش کننده الکترون رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاد و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. در صورتیکه جریان گیت بیشتر از 50 درصد

تحقیق در مورد حافظه 23 ص

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 24 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

Linua memory management on laryer machines

Abstrct

مقداری زیادی از کارها به داخل زیر سیستم مدیرت حافظه در سریهای کرنل l inux.2.5 منتقل شده است و نسبت به تا (سیستم حافظه مجالس ) حالت پایداری بیشتری را در تنوعات زیادی از پارمان کاری دارد. و همچنین بیشتر مسائل مقیاس پذیری حل شده و منجر به عملکرد بیشتر mamgement memory بر روی ماشینهای بزرگبر ( با ram بیش از 1GB یا دارای بیش از یک praccassor یا هر دو ) شده است. بعضی از این تغییرات برای ماشینها ی کوچک نیز سودمند است و در سریهای کرنل 2..4 تقسیمات اصلی linux به طور گسترده‌ای از کرنل mainline بخصوص از محیط um منشعب شده است.

این مسئله باعث به وجود آمدن مداوم مسائلی و تلاش مضاعف به هدر رفته در ویژگیهای پیاده سازی می‌شود سریهای 2.5 گشته ( در آنها هم هست ). سریهای 2.4 تحت مدیریت andrew morton است که بنیان مستحکم برای پیشرفتهای آتی فراهم می‌آورد. و همچنین پتانسیل بیشتری برای کار مشترک بیشتر ، این مقدار در صورت تغییرات که در سیستم 1inux um بهای 2.5 صورت گرفته است که به طور قابل ملاحظه‌ای ماشینهای بزرگبر را فشرده می‌کند می‌کند و همچنین تغییراتی که برای آینده می‌شوند را در بر می‌گیرد که بیشتر آنها در حال حاضر به عنوان قطعات جدا موچود می‌شوند ماشینهای بزرگبر همچنین باید از عهدة تعداد زیادی از فعالیتهای همزمان بر آیند که منظور من حد تا می‌باشد. به منظور سادگی و صراحت و اختیار ما ، ماشین l A 32 با mode PAE با طرح حافظه فرمان را در این مقاله در نظر می‌گیریم این محاسبات بر روی یک سیستم 16-cpu numa-o

( ) گرفته است.

Lntrodueticn

اقتصاد بازار و رواج سیستمهای 32bit بزرگ را تحمیل می‌کند با وجود اینکه نرم افزار هم بوجود می‌آید گرجه chip های 64bit ارزان شروع به ظهور کردن اما آنها هنوز مانند سیستمهای بزرگ در دسترس نیستند اگر چه تکنیکها و دست آوردهای توصیف شده در این مقاله ، بدون هیچ هدفی تنها در این ماشینها کاربرد دارد

محیط مجازی erlobal kernel

شکل اساسی ماشینهای 3.2bit فقدان فضای آدرس دهی مجازی هم برای کاربرد و هم کرنل 3.2bit ما را محدود به 4Gb می‌کند هر فضای آدرس دهی پردازشهای کاربر فقط مربئط به همان فرآیند می‌شود اما فضای آدرس دهی کرنل ، erlobal است برای تعمین عملکرد مناست در فضای آدرس دهی کاربر با فضای آدرس دهی کرنل تقسیم می‌شود ( به اشتراک گذاشته می‌شود )

« شکل ْ1 »

انشعاب فضای آدرس دهی پیش فرض 0------

ممکن است که بتوان این انشعاب را تغییر داد اما اغلب مطلوب نیست بعضی از کاربردها نظیر بانکهای اطلاعاتی به مقدار خیلی زیادی فضای آدرس دهی برای پردازش نیاز دارند در صورتیکه کرنل نیازمند فضای زیادی برای ساختارهای اطلاعاتی خواص باشد. اولین حافظه فیزیکی 896 mB به صورت 1:1 در فضای آدرس دهی erlobal مشترک نقاشی کند. این دامنه حافظه به

عنوان حافظه پایین شناخته می‌شود ( zone-normal ) حافظه بیش از 896mB بعنوان حافظه بزرگ شناخته می‌شود ( zome-hiGihmem ) هرچه بیشتر حافظه فیزیکی به ماشین اضافه شود فشار بیشتری را بر محیط کرنل erlobal وارد آودره‌ایم ، کرنل استاندارد linux 2.4 از عهده مقادیر زیادی از حافظه بر می‌آید شاید در بهترین حالت به 4GB محدود شود اشتعابات inler price ، linux 2.4 با