تحقیق در مورد مدارهای الکتریکی 25 ص

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 25 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

مدارهای الکتریکی 1

  تبدیل منابع - توان - انرژی - ستاره ومثلث

منابع ولتاژ و منابع حریان ایده آل را می توان در شاخه های شبکه تبدیل کرد . منابع ولتاژ مشترک بین دو حلقه را می توان جابجا نمود و منابع جریان بین دو گره را نیز می توان جابجا نمود. بدون آنکه روابط حاکم بر مدار تغییر کند. مثالی از تبدیل منابع جریان

مثالی از تبدیل منابع ولتاژ

  توان

توان لحظه ای تحویل داده شده به یک المان برابراست با

P(t)= V(t) . I(t)

طبق جهتهای قرار دادی ، اگر (p(t مثبت باشد المان مربوط توان را جذب می کند و آن المان را پسیو می گویند. اگر (p(t منفی باشد المان مربوط توان را تحویل می دهد و آن المان را اکتیو یا فعال می گویند.  

  توان تلف شده در یک مقاومت چیست؟

P = V . I = RI2 =( V2 ⁄ R )  

  انرژی داده شده به یک المان بر حسب توان آن چگونه بیان می شود؟

--> انرژی داده شده در زمان T  

  انرژی ذخیره شده در یک سلف چگونه بیان می شود؟

  انرژی ذخیره شده در یک خازن چگونه بیان می شود؟

  تبدیلهای ستاره - مثلث

  تبدیل ستاره به مثلث

  تبدیل مثلث به ستاره

  تمام مقاومتهای شبکه بی نهایت زیر R هستند . مقاومت بین گره های A , B را بیابید

با کمی دقت دیده می شود که مقاومت بین گره های C , B و بین گره های B , D با مقاومت بین A , B برابر است . لذا شبکه بی نهایت را می توان با شکل زیر معادل دانست.

Req = R + ( Req ⁄ 2 ) = 2R

تحقیق در مورد مدارهای الکتریکی 25 ص

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 25 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

مدارهای الکتریکی 1

  تبدیل منابع - توان - انرژی - ستاره ومثلث

منابع ولتاژ و منابع حریان ایده آل را می توان در شاخه های شبکه تبدیل کرد . منابع ولتاژ مشترک بین دو حلقه را می توان جابجا نمود و منابع جریان بین دو گره را نیز می توان جابجا نمود. بدون آنکه روابط حاکم بر مدار تغییر کند. مثالی از تبدیل منابع جریان

مثالی از تبدیل منابع ولتاژ

  توان

توان لحظه ای تحویل داده شده به یک المان برابراست با

P(t)= V(t) . I(t)

طبق جهتهای قرار دادی ، اگر (p(t مثبت باشد المان مربوط توان را جذب می کند و آن المان را پسیو می گویند. اگر (p(t منفی باشد المان مربوط توان را تحویل می دهد و آن المان را اکتیو یا فعال می گویند.  

  توان تلف شده در یک مقاومت چیست؟

P = V . I = RI2 =( V2 ⁄ R )  

  انرژی داده شده به یک المان بر حسب توان آن چگونه بیان می شود؟

--> انرژی داده شده در زمان T  

  انرژی ذخیره شده در یک سلف چگونه بیان می شود؟

  انرژی ذخیره شده در یک خازن چگونه بیان می شود؟

  تبدیلهای ستاره - مثلث

  تبدیل ستاره به مثلث

  تبدیل مثلث به ستاره

  تمام مقاومتهای شبکه بی نهایت زیر R هستند . مقاومت بین گره های A , B را بیابید

با کمی دقت دیده می شود که مقاومت بین گره های C , B و بین گره های B , D با مقاومت بین A , B برابر است . لذا شبکه بی نهایت را می توان با شکل زیر معادل دانست.

Req = R + ( Req ⁄ 2 ) = 2R

تحقیق در مورد مدارهای الکتریکی 25 ص

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 25 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

مدارهای الکتریکی 1

  تبدیل منابع - توان - انرژی - ستاره ومثلث

منابع ولتاژ و منابع حریان ایده آل را می توان در شاخه های شبکه تبدیل کرد . منابع ولتاژ مشترک بین دو حلقه را می توان جابجا نمود و منابع جریان بین دو گره را نیز می توان جابجا نمود. بدون آنکه روابط حاکم بر مدار تغییر کند. مثالی از تبدیل منابع جریان

مثالی از تبدیل منابع ولتاژ

  توان

توان لحظه ای تحویل داده شده به یک المان برابراست با

P(t)= V(t) . I(t)

طبق جهتهای قرار دادی ، اگر (p(t مثبت باشد المان مربوط توان را جذب می کند و آن المان را پسیو می گویند. اگر (p(t منفی باشد المان مربوط توان را تحویل می دهد و آن المان را اکتیو یا فعال می گویند.  

  توان تلف شده در یک مقاومت چیست؟

P = V . I = RI2 =( V2 ⁄ R )  

  انرژی داده شده به یک المان بر حسب توان آن چگونه بیان می شود؟

--> انرژی داده شده در زمان T  

  انرژی ذخیره شده در یک سلف چگونه بیان می شود؟

  انرژی ذخیره شده در یک خازن چگونه بیان می شود؟

  تبدیلهای ستاره - مثلث

  تبدیل ستاره به مثلث

  تبدیل مثلث به ستاره

  تمام مقاومتهای شبکه بی نهایت زیر R هستند . مقاومت بین گره های A , B را بیابید

با کمی دقت دیده می شود که مقاومت بین گره های C , B و بین گره های B , D با مقاومت بین A , B برابر است . لذا شبکه بی نهایت را می توان با شکل زیر معادل دانست.

Req = R + ( Req ⁄ 2 ) = 2R

دانلود تحقیق در مورد روش های کاهش نویز در مدارهای الکترونیکی (word)

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 23

روش های کاهش نویز در مدارهای الکترونیکی

مقدمه

به جرئت می توان گفت که طراحی منطق یک مدار الکترونیکی تنها قسمت کوچکی از کل کاری است که برای تولید صنعتی آن مدار صورت می گیرد .

نکاتی از قبیل در نظر گرقتن اثر قطعات بکار رفته در مدار ، طراحی محافظ 1 برای قسمت مختلف مدار ، بکار بردن روش هایی برای کم کردن اثر نویز در مدارها ، طراحی مدار چاپی با رعایت استاندارد لازم (برای کاهش تداخل الکترو مغناطیسی) انتخاب نوع آی سی های به کار رفته در مدار ، طراحی فیلتر برای قسمت های مختلف مدار ، وجز آن ، همه و همه از مسائلی هستند که در کارامد بودن مدار اثر سرنوشت سازی دارند . شاید به همین علت است که کمتر کسی پس از طراحی مدار روی کاغذ ، جرئت می کند اقدام به ساختن آن کند .

این مقاله به یکی از این مسائل یعنی کاهش اثر نویز در مدارهای الکترونیکی پرداخته است ، آن هم از دیدگاهی خاص یعنی عرضه روش های عملی برای این مقصود . برای بررسی دقیق تر ، گذراندن درس سازگاری الکترو مغناطیسی (EMC) توصیه می شود .

سیستم های الکترنیکی باید طوری طراحی و ساخته شوند که دو شرط زیر را داشته باشند .

1- خود منبع نویز نباشند . ( قسمت های دیجیتالی مدار ، فرستنده های رادیویی ، و کامپیوترها ، نمونه هایی از منابع نویز اند )

2- به نویز خارجی حساس نباشند .

به عبارت دیگر سیستم های الکترونیکی باید بتوانند در شرایط صنعتی به خوبی کار کنند و نویز سیتم های الکتریکی و الکترونیکی دیگر ( مانند لامپ های فلورسنت و نئون ، خطوط قدرت ، فرستنده ها ، وسایل الکترونیک دیجیتال و جز آن) روی آنها اثری نداشته باشد . از طرفی خود این سیستم ها باید طوری طراحی شوند که قسمتی از آنها روی قسمت های دیگر تداخل ایجاد نکند .

سازگاری الکترو مغناطیسی (EMC)

یک سیستم الکتریکی وقتی دارای سازگاری الکترو مغناطیسی است که بتواند در محیط الکترو مغناطیسی مورد نظر به خوبی کار کند و خود منبع نویز نباشد .

با توجه به اهمیت EMC ، استاندردهای متفاوتی را مراجع ذیصلاح برای دستگاه های الکترونیکی وضع کرده اند . برای مثال FCC 2 استانداردهایی را برای حداکثر تشعشع الکترو مغناطیسی وسایل الکترونیکی دارد و لازم است این استانداردها به دقت رعایت شوند و گرنه دستگاه های ساخته شده اجازه ندارند به بازار عرضه شوند . عوامل لازم برای تاثیر نویز عبارتند از : منبع نویز ، کانال کوپلاژ ، و گیرنده نویز .

نویز به روش های زیر به سیستم های الکترونیکی نفوذ می کند .

● کوپلاژ توسط میدان های الکتریکی و مغناطیسی ( و الکترو مغناطیسی ) مانند تشعشع الکترو مغناطیسی .

● کوپلاژ هدایتی مانند انتقال نویز از طریق خط تغذیه مشترک .

روش های مختلفی برای کاهش اثر نویز در مدارهای الکتریکی وجود دارد . در این مقاله تعدادی از این روش ها را به اجمال بررسی می کنیم و تحقیق بیشتر و دقیق تر را به خواننده وامی گذاریم .

1 زمین کردن صحیح

همانطور که می دانید کابل های استاندارد تغذیه سه سیم دارند : فاز ، نول ، و سیم زمین . سیم زمین معمولاً به (( چاه زمین )) ساختمان متصل می شود و در پتانسیل زمین قرار دارد . معمولاً بدنه دستگاه های الکتریکی به سیم متصل می شوند تا از حوادثی مانند برق گرفتگی جلوگیری شود .

برخی از نکات مهمی که در طراحی زمین سیستم های الکترونیکی وجود دارد در ادامه بیان می شود .

11 کاهش امپدانی مشترک

هنگام طراحی مدار ، می توان به دو صورت قسمت های مختلف را به زمین متصل کرد .

در نگاه اول ممکن است تفاوتی بین این دو روش مشاهده نشود اما از آنجایی که هادی های به کار رفته برای اتصال زمین ، هادی کامل نیستند ، امپدانسی بین هر قسمت مدار و زمین وجود دارد . می توان دید که در اتصال سری زمین ، یک امپدانس مشترک بین گروه های زمین مدار وجود دارد . بنابراین تغیرات سریع جریان تغذیه در مدارهای 1 و 2 باعث تغییر پتانسیل زمین مدار 3 می شود و بدین ترتیب می توانند در مدار 3 ایجاد تداخل کنند .

اما اگر قسمت های مختلف مدار را به صورت موازی زمین کنیم ، این مشکل برطرف می شود .

روش دیگر برای کاهش امپدانس مشترک استفاده از (( صفحه زمین )) است .

دانلود تحقیق در مورد تحلیل مدارهای دیودی

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 49

تحلیل مدارهای دیودی

معرفی دیودها: دیود به عنوان ساده ترین اختراع غیرخطی می باشد که این متن در مورد آن شرح داده است. این عنصر دارای تنوع بسیار بوده و اکثر به یک صورت مورد استفاده قرار میگیرد یا به بیانی دیگر د رتمامی شاخه های صنعت الکترونیک کاربرد دارد.

از انواع آن میتوان به دیود خلا دیود گاز، دیودهای یک سو ساز فلزی، دیودهای نیمه هادی و دیودهای تونل و ... اشاره کرد. به دیود نیمه هادی ارجعیت بیشتری می دهیم چرا که تئوری مربوط به ساخت این نوع خاص از انواع دیود مرتبط وصادق برای انواع دیگر است.

2-مشخصات مداری دیود در این بخش اموزش داده خواهد شد.

در ضمن تکنیکهای تصویری مورد تاکیدی باشند چرا که تصویر قابل رویتی از عملکرد مدار را نمایش می دهند و اطلاعاتی را عرضه می کنند که نمی توان صرفا از رفتار چیزی معمار آنها را بدست آورد.

این تکنیکهای تصویری شامل رفتار خط بار ac,dc می باشند که فراهم آورنده ی سیگنال کوچک و سیگنال بزرگ است. اگر چه این روشها معمولا در تحلیل مدارات دیودی استفاده نمی شوند اما آنها را برای قوی ومحکم ساختن مجموعه آثار ومنابع دانشجویان در این بخش معرفی کرده ایم.

وقتی ترازیستورها پیچیده می باشند مشکلات دیگر مواجه شده بسیار راحتتر خواهند بود وقتی که آنها را با دیود شبیه سازی کنیم.

1-2-خاصیت غیرخطی-دیوید ایده آل

داتشجویان معمولا تحصیل خود را با در نظر گرفتن نمونه های خطی مدار آغاز می کنند که ساده ترین آنها مقاومت می باشد. رابطه ی ولت-آمپر یعنی همان مشخصه ی vi یک مقاومت با مافوق ساده هم توضیح داده شده است که ما گاهی اوقات تفسیر نموداری آن را بررسی نمی کنیم. مشخصه ی خطی ترازیستور در شکل 1-1-2 مشخص است و مشخصه ی غیرخطی دیوید هم در اینجا به وضوح وجود دارد. وقتی ولتاژ منبع مثبت باشد جریان id هم مثبت خواهد بود.

ودیود اتصال کوتاه است و زمانی که vi منفی باشد وجریان دیوید id صفر خواهد بود و دیود اتصال باز خواهد بود می توان دیوید را به عنوان یک کلید تصور کرد که با جهت ولتاژ قابل کنترل خواهد بود. این کلید به ازای ولتاژهای مثبت بسته خواهد بود و به ازای ولتاژهای منفی کلید باز است.

3-راه دیگر برای بررسی این المان توجه به جهت هدایت جریان آن است که فقط از قطب P به قطب n است(شکل 2-1-2-) و این هدایت زمانی وقوع پیدا می کند که ولتاژ منبع مثبت باشد وزمانی که ولتاژ منبع منفی باشد دیوید هدایتی نخواهد داشت.

4-محدودیت دیودهای واقعی که دارای مشخصه های ذاتی می باشند باعث تفاوت آنها از دیودهای ایده آل شده است. این موضوعات در بخشهای اینده مورد بررسی قرار خواهند گرفت و در مبحث فعلی دیودها ایده آل تصور می شوند.

مثالهای پایین در مورد بوجود آوردن بعضی اعمال بر روی سیگنال که با دیود میسر است خواهد بود.

مثال 1-1-2: یکسو کننده نیم موج یا قطع کننده مدار

یکی از کاربردهای مهم دیود در بوجود آوردن