گزارش کارورزی آموزش فتوشاپ 105 ص

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 106

موسسه آموزش عالی آزاد هادی

دانشگاه جامع علمی - کاربردی

گزارش کارورزی

عنوان:آموزش فتوشاپ

-----------------------------------

استاد کارورزی:مهندس بابائی

---------------

دانشجو:مینا کوچکی سیاه خاله سر

-----------

رشته تحصیلی:فناوری اطلاعات

--------

زمان تحویل : 9/3/1389

تقدیم به

زیباترین کلمه

مادر.

از زحمات بی دریغ استاد بزرگوارم جناب آقای مهندس بابایی

که همواره مرا با راهنمایی های ارزشمند خودهدایت نمودند

و در نهایت شکیبایی یاری ام فرمودند سپاسگذارم.

مقاله درباره آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 36

آشنایی با ساختمان و عملکرد

نیمه هادی دیود و ترانزیستور

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک و تنارد کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل

تحقیق درباره. آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 36

آشنایی با ساختمان و عملکرد

نیمه هادی دیود و ترانزیستور

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک و تنارد کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل

«توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی»

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 9

«توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی»

آشکار سازی های نیمه هادی نوترون برای رادیوبیولوژی نوترون و شمارش آن دارای اهمیت بسیار زیادی هستند. آشکار سازی های ساده سیلیکونی نوترون ترکیبی از یک دیود صفحه ای با لایه ای از یک مبدل مناسب نوترون مثل 6LiFمی باشند. چنین وسایلی دارای بهره آشکار سازی محدودی می باشندکه معمولاً بیشتر از 5% نیست. بهره آشکار سازی را می توان با ساخت یک ساختار میکرونی3D به صورت فرو رفتگی، حفره یا سوراخ و پر کردن آن با ماده مبدل نوترون افزایش داد. اولین نتایج ساخت چنین وسیله ای در این مقاله ارائه شده است.

آشکار سازهای سیلیکونیN با حفره های هرمی شکل در سطح پوشیده شده با 6LiF ساخته شده و سپس تحت تابش نوترونهای حرارتی قرار گرفتند. طیف ارتفاع پالس انرژی تابش شده به حجم حساس با شبیه سازی مورد مقایسه قرار گرفت. بهره آشکار سازی این وسیله در حدود 6.3% بود. نمونه هایی با سایز ستونهای مختلف ساخته شد تا خواص الکتریکی ساختارهای سه بعدی مورد مطالعه قرار گیرد.ضرایب جمع آوری بار در ستونهای سیلیکون از 10تا800 nm عرض و 80تا nm 200ارتفاع با ذرات آلفا اندازه گیری شد. بهره آشکار سازی یک ساختار 3D کامل نیز شبیه سازی شد. نتایج نشان از تقویت بهره آشکار سازی با فاکتور 6در مقایسه با آشکار سازهای صفحه ای استاندارد نوترون دارد.

1. مقدمه و اهداف: آشکار سازهای نوترونی نمی توانند مستقیماً برای آشکار سازی نوترونهای حرارتی به کار روند و باید از ماده ای استفاده کرد که نوترونها را به صورت تشعشع قابل آشکار سازی در آورد. مواد مختلفی برای این منظور وجود دارند که در بین آنها6Li از همه مناسب تر به نظر می رسد. واکنش گیر افتادن نوترون در6Li دارای سطح مقطع942 b در انرژی نوترونی0.0253eV است.

6Li+n→∝(2.05MeV) +3H(2.73MeV

مواد مبدل با پایه6Li دارای سطح مقطع گیر انداختن نورونهای بالایی بوده و انرژی محصولات تولید شده آن نیز برای آشکار شدن به قدر کافی بالا می باشد. هدف نهایی آشکار سازR&D که در اینجا شرح داده می شوند ایجاد یک سنسور تصویر برداری نوترون با حساسیت بالا و قدرت تفکیک فضایی مناسب است. ما قبلاً با موفقیت چیپMedipix-2 با چیپ سنسور صفحه ای پوشیده با مبدل نوترون6Li را آزمایش کرده ایم. قدرت تفکیک فضایی چنین وسیله ای در حدود 65nm(نشانه ای از FWHMتابع پخش خطی) به خوبی با ابزارهای تصویر برداری نوترون قابل رقابت است. نسبت سیگنال به نویز(SNR) آشکارسازی سیلیکون نیز بالاتر از آشکار سازهای نوترونی فعلی است. با این وجود بهره آشکار سازی چنین آشکارسازهای نیمه هادی صفحه ای(نسبت تعداد آشکار شده به تعداد نوترون برخوردی) در حدود5% محدود می باشد. بهره آشکارسازی را می توان با ایجاد حفره یا سوراخ هایی (ساختار 3D ) در بدنه آشکار ساز سیلیکون افزایش داد.

2. آشکار سازی آشکارسازهای نوترونی صفحه ای:

برای پیش بینی بهره آشکارسازی ساختار صفحه ای از یک بسته نرم افزار شبیه سازی مونت کارلو استفاده شد. این بسته ترکیبی بود ازMCNP-4C (شبیه سازی انتقال نوترونی) با SRIM/TRIM (قدرت توقف) و کد مونت کارلو C++ متعلق به خودمان(شبیه سازی انتقال انرژی، طیف ارتفاع پالس، بهره آشکار سازی و....)

شکل 1بهره آشکار سازی را در مقابل ضخامت ماده مبدل6LIF (6LI غنی شده تا 89%)، اول برای تشعشع قدامی که منحنی مقدار بیشینه 4.48% را در ضخامت 7mg/cm2 نشان می دهد. بهره آشکار سازی در ضخامتهای بیشتر از این حد کاهش می یابد چون ذرات آلفا و تریتیوم تولید شده در سطوح دورتر LiFاز مرز Si-LiF قادر به رسیدن به حجم حساس نیستند. به علاوه تعداد بیشتر نوترونها در نزدیکی سطح خارجی مبدل جذب می شوند(شکل 2a را ببینید). منحنی دوم در شکل1 مخصوص آشکار سازی است که از پشت تحت تابش قرار گرفته است.

در ضخامتهای بالا تراز7mg/cm2، بهره آشکار سازی در حدود 4.90%ثابت باقی می ماند. نوترونها به صورت قابل ترجیحی در نزدیکی مرز مبدل نیمه هادی جذب می شوند )شکل(b.2 و بهره آشکارسازی اشباع شده و مستقل از ضخامت آشکار ساز می باشد.

طیف انرژی تابشی در آشکار ساز صفحه ای ساده اندازه گیری شد(شکل 3). نمونه مورد استفاده یک آشکارساز سیلیکونی 5×5mm2و 300µm ضخامت بود. مقاومت حجم n-type در حدود 5kΩcm بود. بخشی از نمونه با لایه ای از6LiF با 89% لیتیوم پوشانده شده بود(به این دلیل فقط بخشی از آن پوشانده شده بود تا بخشی به صورت فضای باز برای کالیبراسیون انرژی با ذرات آلفای منبع کالیبراسیون در اختیار داشته باشیم). طیف حاصل را با نتایج شبیه سازی مونت کارلو مقایسه کردیم. شبیه سازی به خوبی با نتایج اندازه گیری شده مطابقت داشت. نمونه از پشت با دسته پرتو نوترون حرارتی مورد تابش قرار گرفت. اندازه گیریها در کانال افقی (هدایت نوترون) راکتور تحقیقاتی هسته ای LVR-15 در موسسه فیزیک هسته ای دانشگاه چک در Rez در نزدیکی پراگ انجام پذیرفتند. فلوی نوترون در حدود106cm-2s-1در قدرت راکتور8MW بودند.

آلفا و تریتون تولید شده از واکنش گیر انداختن نوترون حرارتی اغلب در جهتهای متضاد به حرکت در می آیند (شکل4) آشکارساز صفحه ای ساده یکی از دو ذره الفا یا تریتون را آشکار می کند نه هر دو را. بنابر این طیف انرژی تابشی هرگز دارای انرژی بالاتر مربوط به تریتون نخواهد بود.

تحقیق در مورد امام علی بن محمد هادی

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 10 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

امام علی بن محمد هادی، در پانزدهم ماه ذیحجه سال 212 هجری در نزدیکی شهر مدینه از سمانۀ مغربیّه زاده شد پس از تولد نوزاد، سنّت شرعی و شمخصی که از رسول خدا شفارش شده است درباره ی نوزاد اجرا شد علی بن محّمد، که ما از این به بعد او را با نام اما هادی(ع) می شناسیم، هر گاه از مادر خویش یاد می کند شایستگی او را بیشتر نمایان می سازد اما هادی (ع) دوران کودکی را در محیطی خاص سپری می سازد. از یک سو دورنمای جدایی از پدر که به تهدبد و اجبار مأمون عباسی از مدینه به بغداد فراخوانده شده است امام را در یک موقعیت مخصوص قرار می دهد چیزی که در دورا ن امام هادی دیگر بی سابقه بوده است امام هادی(ع) با نگاه تیزبین و موشک خانه ای که مسلّح به امدادهای پروردگار می باشد هر آنچه که در محیط زندگی خویش می گذرد با دقت فراوان مورد بررسی قرار می دهد او در زمانی که سایه پر مهر پدر را بر سر خویش دارد و در مکتب والای امامت پرورش می یابد می بیند که پدر در تلاش علمی- فرهنگی مداوم و خستگی ناپذیر وارد شده است تا پایه های اعتقادی مکتب تشیّع را استحکام بیشتری ببخشد در این گیرودار، دستگاه حکومتی برای مشغول کردن مردم و منحرف ساختن افکار عمومی از مسالۀ مبارزه با جنایات و ستمگری های دستگاه خلافت، ترفند منحرف ساختن افکار عمومی به چیزهای دیگر رابرگزیدن است موضوع ظلم ستیزی و بی پروایی اما هادی(ع) از همان دوران کودکی و در روزگاری که آغاز جدایی او از پدرش می باشد به خوبی مشهود و محسوس است در آخرین روزهایی که اما جواد ( ع) در کنار خانوداه ی خویش در ظهر مدینه سوکنت دارد دو نفر از فرزندانش را در کنار گرفته و با آن ها درباره ی سفزی که در پیش روی دارد، گفتگو می کند- سرزمین عراق جایی است که امام جواد (ع) را به سوی آن فراحوانده اند امام نهم ابتدا از علی النقی – امام هادی می پرسد: دوست داری کدام یک از سوغات های عراق برایت هدیه آورده شود؟ فرزند پاسخ می دهد: شمشیری که یه سان شعله ی آتش- سوزان ئ بّران باشد اما جواد (ع) که بیشترین معنی و اعجاز را در همین سخن کوتاه فرزند خویش احساس کرده است. برای اینکه شایستگی و برگزیدگی پروردگار را در مورد این فرزند بر اطرافیان خویش بهتر نمودار سازد. اگر اما هادی (ع) از معلمی تعلیم و تربیت پذیرد بیگمان آن معلم، فقط پدربزرگوارش_ امام جواد( ع) _ خواهد بود و دیگر هیچ اندیشه ای هر چقدر هم که تجربه اندوخته و آگاه و عالم باشد جرأت و جسارت این را نخواهد یافت که در لباس تعلیم و تربیت به حضور این برگزیدگان راه یابد معتصم عباسی که به کین و خشم و حسد خویش، امام جواد(ع) را مسموم ساخته و او را به شهادت رسانیده است اکنون به چاره ای افتاد تا به گونه ای از خانواده و اما دلجویی کرده و خودش را، بیگانه از ماجرا جلوه دهد.

اما هادی(ع) روزگار حکومت معتصم را به مدت شش سال تحمل می کند تا اینکه سرانجام با مرگ معتصم عباسی د ر کاخ معروفش_ قصر خاقانی پسرش واثق به حکومت می رسد واثق نیز پنج سال بر سرزمین اسلامی حکمفرمایی دارد واثق عباسی که تابع شهوات خویش است و به جنگ وسیلست کاری ندارد امور مختلف مملکتی را به ترکها سپرده است پس از مرگ واثق که حدود پنج سال خلاقت کرد حکومت به متوکل عباسی می رسد متوکل، چهره ای کلاً مشخص و متمایز از دیگر خلفای عباسی را دارا بود زیرا که او پلیدترین آلوده ترین و بدنام ترین خلفا و آل عباش بود او کینه ها و عقده های فروخورده ای را نسبت به شیعیان در سینه داشت دشمن او با امیرمومنان علی (ع) آنچنان شد بد است که نمی تواند این دشمنی را در رفتار روزانه اش مخفی بدارد آنچه او در کینه ورزی با امیرمومنان علی(ع) از خود نشان می دهد به عنطف یک سند ننگین در کارنامه ی سیاه حکومتش برای همیشه ضبط و ثبت خواهد شد او تنها ظالم و ستمگری است که جرأت دارد دستور دهد تا قیر مقّدس امام حسین(ع) را شکاتفته و بر تربت پاکیزۀ آن شهید بزرگ آب بسته و آن شخم بزنند. متوکل عباسی با اعتقاد به چنین اندیشه ای در مورد امام هادی(ع) تصمیم می گیرد تا مبنای مبارزۀ خویش با مخالفان حکومتش را بر اساس نوعی تهاجم آشکار و گاهی غیر آشکار استوار ساخت امام هادی(ع) پس از ورود به سامرا مورد توجه دانشمندان قرار می گیرد متوکل تصمیم دارد تا از علمای درباره ی استمدادجوبد و به آرزوی خویش که بی اعتبار ساختن چهره ی امامت از لحاظ علمی می باشد تحقق بخشد. جریان مناظرۀ امام هادی(ع) با تعدادی از علمای بزرگی که وابسته به حکومتِ عّباسی می باشند، هنوز هم تازه می نمایاند و از یادها بیرون نرفته است.

ابتدا، یکی از این علما. تعدادی پرسش علمی را که برایش پدید آمده است مطرح می سازد. پاسخهای منطقی امام هادی که استدلال در خود دارد آن عالم را خشنود می سازد و بعد، نوبت به « یحی بن اکثم» می رسد این دانشمند سالها قبل و در زمان امام جواد(ع) چندین بار، بختِ خویش را آزموده و به مناظرۀ با آن بزرگوار پرداخته است. امّا در هر کدام از آن مناظره ها به سختی شکست خوذده و در مقابل دلایل علمی و عقلی اما جواد(ع) سرافکنده