تحقیق در مورد حافظه DRAM

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 20 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

پروژه شماره 2

عنوان پروژه : DRAM (گذشته ، امروز ، آینده)

مقدمه :

همانطوریکه می دانیم امروزه بشر در عصر ارتباطات و تکنولوژی به حافظه برای تجهیزات مختلف نیازمند است . یکی از انواع حافظه ها DRAM یا Dynamic Random memory می باشد که این DRAM ها مصارف مختلفی دارند از جمله در Computing ، infrastueture ، Entertainment و infocom و جاهای دیگر صنعتی.

برای ساخت DRAM در تکنولوژیهای مختلفی استفاده شده است که ما در اینجا از ساده ترین DRAM ها شروع می کنیم که از یک ترانزیستور و خازن و AMP استفاده شده است و به ساختار DRAM های 1k و 4k و 16k و ... می پردازیم . و نهایتاً یکی از تکنولوژیهای جدیدی که در ساخت DRAM ها بکار رفته است را شرح می‌دهیم . این تکنولوژی های ساخت DRAM با استفاده از SO1 (Silicon on islatnr) می باشد .

بنابراین بطورکلی این روژه از 2 قسمت تشکیل شده است . قسمت اول آن مربوط به توضیح راجع به DRAM ها (از جهات مختلف) و مقایسه و کاربرد آنها و ... می باشد و قسمت دوم پروژه مربوط به توضیح راجع به تکنولوژی SO1 و کاربرد آن در DRAM می باشد .

شرح پروژه :

قسمت اول , ساختمان و خصوصیات DRAM :

DRAM در واقع مخفف Dynamic Random Access Memory است که حالت ساده آن به شکل زیر است که از یک ترانزیستور ساده و خازن و یک AMP تشکیل شده است .

DRAM ها دارای خصوصیاتی از جمله Read و Write هستند . اساس سلول DRAM از نظر Cross-Section و Layout در شکل زیر مشخص است و عیب این روش area می باشد . علاوه بر این ، 2 خصوصیت عمده از DRAM ها ذکر شده است که عبارتند از :

1-Stacked cell(Expand up) : طبق شکل

2-Trench cell(Expand Down) : طبق شکل

همانطوریکه گفته شد DRAM می تواند عمل Read و Write را انجام دهد .

برای عمل write باید bitline یا در حالت high باشد یا low و word line باید از موقعیت high باشد .

اما برای عمل Read bitline در وضعیت precharge است تا ولتاژ halfway شود (یعنی حالت high و Low) و باز هم Word Line در وضعیت high است .

در DRAM یک AMP حسی داریم که وضعیت charge را آشکار می کند و این Charge به خازن وابسته است .

توجه به این نکته ضروری است که DRAM ها به refresh نیاز دارند (برعکس SRAM ها) زیرا دارای جریان نشتی هستند . همچنین آدرسها در DRAM به 2 قسمت تقسیم می شود :

1-RAS (Row Access Strobe)

2-Cas (Column Access Strobe)

پارامترهای کلیدی Timing در یک DRAM :

1- : کمترین زمان از Ras Line تا یک دیتای خروجی معتبر و با ارزش که این زمان مثلاً برای یک 4Mb DRAM حدوداً 60ns است .

2-: کمترین زمان از شروع یک row Access تا شروع بعدی که این زمان برای یک 4Mbit DRAM با تقریباً است .

3- : کمترین زمان از CAS Line تا یک دیتای خروجی معتبر و با ارزش که این زمان برای DRAM 4Mb با حدود است .

4- : کمترین زمان از شروع یک Column Access تا شروع بعدی است . که این زمان هم برای یک 4Mbit DRAM با حدود است .

طراحی DRAM :

تحقیق در مورد حافظه پایدار

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 13 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

به نام خدا

حافظه پایدار : حافظه پایدارحتی با از دست دادن قدرت ، مضمون خود را حفظ می کند .

ROM : خواننده حافظه ( ROM ) برنامه ای تلفیق داده شده است که در هنگام تولید حاوی داده های خاص می باشد .

ریزه های ROM حاوی شبکه ای از فتون ها و ردیف ها می باشد . این ستون ها و ردیف ها همدیگر را قطع می کنند . اگر مقدار 1 باشد یک دیود ، خطوط را به هم وصل می کند . اگر مقدار 0 باشد خطوط هرگز به هم وصل نخواهد شد .

ROM چگونه کار می کند .

ROM P : ROM P ، خواننده حافظه ای برنامه ریزی شده و پایداری می باشد که به صورت خالی ساخته شده است . و بعدها با داده های خاصی پر می گردد .

برنامه نویسی می تواند یک بار انجام گیرد . پس از برنامه نویسی داده ها همیشه در IC ذخیره می گردند . ریزه های خالی ROM P به صورت ارزان توسط برنامه ریزان خریداری می گردد .

ROM P ، شبکه های ستونی و ردیفی درست مثل ROM های معمولی دارند . تفاوت این است که نقاط مشترک ردیف ها و ستون ها در ریزه های ROM P به کمک فیوز به هم وصل می شوند . شارژی که وارد ستون می شود از فیوز ردیف زمینی عبور می کند و عدد 1 را نشان می دهد ، چون همه سلول ها فیوز دارند ، پس موقعیت اولیه ROM P هم 1 می شود . برای تغییر این مقدار به 0 ، شما از برنامه ریزی استفاده کنید که جریانی خاص را وارد سلول کند . ولتاژ بالاتر باعث شکست اتصال بین ستون و ردیف می شود . این مرحله به سوزاندن ROM P معروف است .

چطور ROM P کار می کند ؟

ROM P : خواندده حافظه قابل برنامه ریزی محو شونده (ROM P ) ریزه های ROM P را راه می اندازد و ROM P ها بارها قابل نوشتن هستند . دو ترانزیستور بالایه نازکی از اکسید از هم جدا می شوند . یکی از ترانزیستورها به دروازه شناور و دیگری به دورازه کنترل معروف است . دروازه شناور در طول دروازه کنترل به ردیف وصل می گردد .

در طول محل اتصال مقدار 1 است . برای تغییر آن به 0 باید اکسترون های را وارد دروازه شناور نموده . شارژ الکتریکی از 10 به 13 می رسد . این شارژ برای دروازه شناور به کار می رود و بیت ها به 0 می رسد .

تمام ورودی های ( دروازه ها ) . ROM P کاملاً باز هستند ، و به هر سلول مقدار 1 می دهند . برنامه نویسی ، سلول های مورد نیاز را به 0 می رساند . برای نوشتن مجدد ROM P ابتدا باید آن را پاک کنید . پاک کردن ROM P نیازمند ابزاری خاص است که نوار فرابنفش uv به طول موج ( mm 25307 ) از خود ساطع کند . پاک کننده ROM P ، انتخابی نیست و کا ROM P را پاک خواهد نمود این کار چند دقیقه طول می کشد ( پاک کردن بیش از حد مخرب است ، مراقب این کار باشید ) . ROM P ها از برنامه ریزی استفاده می کنند که بسته به نوع ROM P از ولتاژ خاصی استفاده کنند .

EEPROM : خواننده حافظه قابل برنامه ریزی و محو و الکتریکی EEPROM می تواند به صورت الکتریکی برنامه ریزی و پاک شود . در لحظه EEPROM ها یک بایت تغییر می کنند و پاک کردن آنها وقت گیر است . عیب EEPROM ها ، سرعت آنها ات . سرعت EEPROM در برخی از تولیدات آنقدر کم است که باعث تغییر سریع داده ها می گردد EEPROM ها در وسایل الکتریکی که برای حفظ داده های کوچک پایدار با سرعت پائین به کار می روند ، موجود است EEPROM های کوچک با فصول مشترک سرپایی در خیلی از وسایل الکترونیکی یافت می گردند.

EEPROM ها و حافظه های نوری چطور کار می کنند .

Flash (نور): حافظه نوری نوعی از EEPROM ها است که در وایرهای چرخشی به کمک به رشته الکتریکی در کیل ریزه یا قسمت از قبل تعیین شده ریزه که بلوک برای پاک کردن نام دارد به کار می رود. ضیاش های نوری خیلی سریع تر از EEPROM های قدیمی کار می کند چون داده ها را در قطعاتی که به اندازه K5 جا دارند می نویسند (به جای ابایت). حافظه های نوری کاربردهای فراوانی دارند. ریزه های PC BIOS فرم بسیار معروفی از حافظه نوری می باشد. ابزار جامد قابل رفع به طور چشم گیری فراگیر شده اند. کارت های COMPAT FLASH, SMART MEDIA خیلی معروفند به خصوص فیلم های الکترونیکی دوربین هایی دیجیتالی.

(برچسب حافظه)

بقیه تولیات قابل رفع شامل Memory Stick، کارت های حافظه PCMCIA و کارت هایی حافظه ای سیستم های بازی های ویدئویی است.

F RAM/FE RAM : F RAM (حافظه در دسترس اتفاقی ضروالکتریک نوعی حافظه پایدار است (NS200-70) پایدار بوده و برنامه نویسی چرخشی دارد.

سلول فرالکتریک شامل، خاطن فروالکتریک (نیم رسانایی اکسید فلز) و ترانزیستور MOS است. ساختار آن شبیه به سلول نگهداری DRAM است.

تحقیق در مورد حافظه پایدار

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 13 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

به نام خدا

حافظه پایدار : حافظه پایدارحتی با از دست دادن قدرت ، مضمون خود را حفظ می کند .

ROM : خواننده حافظه ( ROM ) برنامه ای تلفیق داده شده است که در هنگام تولید حاوی داده های خاص می باشد .

ریزه های ROM حاوی شبکه ای از فتون ها و ردیف ها می باشد . این ستون ها و ردیف ها همدیگر را قطع می کنند . اگر مقدار 1 باشد یک دیود ، خطوط را به هم وصل می کند . اگر مقدار 0 باشد خطوط هرگز به هم وصل نخواهد شد .

ROM چگونه کار می کند .

ROM P : ROM P ، خواننده حافظه ای برنامه ریزی شده و پایداری می باشد که به صورت خالی ساخته شده است . و بعدها با داده های خاصی پر می گردد .

برنامه نویسی می تواند یک بار انجام گیرد . پس از برنامه نویسی داده ها همیشه در IC ذخیره می گردند . ریزه های خالی ROM P به صورت ارزان توسط برنامه ریزان خریداری می گردد .

ROM P ، شبکه های ستونی و ردیفی درست مثل ROM های معمولی دارند . تفاوت این است که نقاط مشترک ردیف ها و ستون ها در ریزه های ROM P به کمک فیوز به هم وصل می شوند . شارژی که وارد ستون می شود از فیوز ردیف زمینی عبور می کند و عدد 1 را نشان می دهد ، چون همه سلول ها فیوز دارند ، پس موقعیت اولیه ROM P هم 1 می شود . برای تغییر این مقدار به 0 ، شما از برنامه ریزی استفاده کنید که جریانی خاص را وارد سلول کند . ولتاژ بالاتر باعث شکست اتصال بین ستون و ردیف می شود . این مرحله به سوزاندن ROM P معروف است .

چطور ROM P کار می کند ؟

ROM P : خواندده حافظه قابل برنامه ریزی محو شونده (ROM P ) ریزه های ROM P را راه می اندازد و ROM P ها بارها قابل نوشتن هستند . دو ترانزیستور بالایه نازکی از اکسید از هم جدا می شوند . یکی از ترانزیستورها به دروازه شناور و دیگری به دورازه کنترل معروف است . دروازه شناور در طول دروازه کنترل به ردیف وصل می گردد .

در طول محل اتصال مقدار 1 است . برای تغییر آن به 0 باید اکسترون های را وارد دروازه شناور نموده . شارژ الکتریکی از 10 به 13 می رسد . این شارژ برای دروازه شناور به کار می رود و بیت ها به 0 می رسد .

تمام ورودی های ( دروازه ها ) . ROM P کاملاً باز هستند ، و به هر سلول مقدار 1 می دهند . برنامه نویسی ، سلول های مورد نیاز را به 0 می رساند . برای نوشتن مجدد ROM P ابتدا باید آن را پاک کنید . پاک کردن ROM P نیازمند ابزاری خاص است که نوار فرابنفش uv به طول موج ( mm 25307 ) از خود ساطع کند . پاک کننده ROM P ، انتخابی نیست و کا ROM P را پاک خواهد نمود این کار چند دقیقه طول می کشد ( پاک کردن بیش از حد مخرب است ، مراقب این کار باشید ) . ROM P ها از برنامه ریزی استفاده می کنند که بسته به نوع ROM P از ولتاژ خاصی استفاده کنند .

EEPROM : خواننده حافظه قابل برنامه ریزی و محو و الکتریکی EEPROM می تواند به صورت الکتریکی برنامه ریزی و پاک شود . در لحظه EEPROM ها یک بایت تغییر می کنند و پاک کردن آنها وقت گیر است . عیب EEPROM ها ، سرعت آنها ات . سرعت EEPROM در برخی از تولیدات آنقدر کم است که باعث تغییر سریع داده ها می گردد EEPROM ها در وسایل الکتریکی که برای حفظ داده های کوچک پایدار با سرعت پائین به کار می روند ، موجود است EEPROM های کوچک با فصول مشترک سرپایی در خیلی از وسایل الکترونیکی یافت می گردند.

EEPROM ها و حافظه های نوری چطور کار می کنند .

Flash (نور): حافظه نوری نوعی از EEPROM ها است که در وایرهای چرخشی به کمک به رشته الکتریکی در کیل ریزه یا قسمت از قبل تعیین شده ریزه که بلوک برای پاک کردن نام دارد به کار می رود. ضیاش های نوری خیلی سریع تر از EEPROM های قدیمی کار می کند چون داده ها را در قطعاتی که به اندازه K5 جا دارند می نویسند (به جای ابایت). حافظه های نوری کاربردهای فراوانی دارند. ریزه های PC BIOS فرم بسیار معروفی از حافظه نوری می باشد. ابزار جامد قابل رفع به طور چشم گیری فراگیر شده اند. کارت های COMPAT FLASH, SMART MEDIA خیلی معروفند به خصوص فیلم های الکترونیکی دوربین هایی دیجیتالی.

(برچسب حافظه)

بقیه تولیات قابل رفع شامل Memory Stick، کارت های حافظه PCMCIA و کارت هایی حافظه ای سیستم های بازی های ویدئویی است.

F RAM/FE RAM : F RAM (حافظه در دسترس اتفاقی ضروالکتریک نوعی حافظه پایدار است (NS200-70) پایدار بوده و برنامه نویسی چرخشی دارد.

سلول فرالکتریک شامل، خاطن فروالکتریک (نیم رسانایی اکسید فلز) و ترانزیستور MOS است. ساختار آن شبیه به سلول نگهداری DRAM است.

تحقیق در مورد حافظه ها

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 14 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

:حافظه ها

ROM

حافظه فقط خواندنی یا ROM ،نوعی از حافظه است که میتواند به طور دائمی داده ها را نگاه دارد. زیرا نوشتن در آن غیرممکن است .معمولا به ROM ، حافظه غیرفرار هم گفته می شود زیرا داده های ذخیره شده در RAM حتی با قطع برق کامپیوتر نیز در آن باقی می مانند. ROM به تنهایی یک مکان ایده آل برای قرار دادن دستورالعمل های شروع به کار PC می باشد به عبارت دیگر نرم افزاری می باشد که سیستم راه اندازی می کند.

در واقع ROM را میتوان زیر مجموعه ای RAM کامپیوتر در نظر گرفت. در بعضی از سیستم های شرکت مخابرات شهرستان کرج نوعی از ROM به نام EEPROM (حافظه فقط خواندنی قابل پاک شدن الکتریکی) بکار می برند که شکلی از حافظه Flash می باشد. Flash، یک حافظه کاملا غیرفرار است که قابل نوشتن مجدد می باشد و به کاربر امکان می دهد تا به راحتی ROM را ارتقا دهد.

DRAM

RAM پویا نوعی از حافظه می باشد که در بخش اعظم حافظه اصلی یک PC جدید بکار می رود. مزایای اصلی DRAM اینست که بسیار فشرده است به عبارت دیگر تعداد زیادی بیت در یک تراشه بسیار کوچک جا می دهیم و به دلیل این که ارزان است مامی توانیم مقادیر بزرگی از حافظه را بخریم.

خانه های حافظه موجود در یک DRAM خازن کوچکی هستند که برای نشان دادن یک بیت دارای یک شارژ می باشند. مشکل DRAM ها پویا بودن آنست و به لحاظ نوع طراحی، باید دائما نوسازی (refresh) شود، در غیر اینصورت با از بین رفتن بارها ی الکتریکی در خازن های جداگانه حافظه، داده ها نیز از بین می روند. نوسازی زمانی اتفاق می افتد که کنترل حافظه سیستم یک مکث کوتاه دارد و به همه سطرهای داده ها در حافظه دسترسی پیدا میکند. بسیاری از سیستم ها یک کنترلر حافظه دارند که برای یک میزان نوسازی استاندارد صنعتی 15 میکروثانیه ای تنظیم می شود به عبارت دیگر هر 15 میکرو ثانیه همه سطرهای موجود در حافظه خوانده می شوند داده ها نوسازی شود.

SRAM

نوعی از حافظه است که بسیار سریعتر از انواع DRAM ها می باشد. SRAM علامت اختصاری Static RAM (RAM ایستا) و دلیل نامگذاری حافظه، اینست که مثل DRAM نیازی به میزان نوسازی دوره ای ندارد. SRAM ها بسیار سریعتر از DRAM ها هستند و از این جهت در حافظه نهاتگاه (Cache) استفاده می شوند.

در طراحی SRAM ها یک کلاستر (خوشه) 6 ترانزیستوری را برای هربیت از ذخیره گاه به کار می گیرد.

SDRAM

SDRAM علامت اختصاری Synchronous DRAM ونوعی DRAM است که همزمان با گذرگاه حافظه کارمی کند.SDRAM اطلاعات موجود در حالت پی در پی با سرعت بالا را با استفاده از یک رابطه ساعت دار سریع انتقال می دهد SDRAM بیشتر تاخیرهای موجود در DRAM غیرهمزمان را از بین می برد زیرا سیگنال ها از قبل با ساعت مادربورد همزمان شده اند.

تحقیق درباره رجیستری حافظه های الکترونیکی Flash memory و RAID چیست لپ تاپ های کوچولو

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 41

رجیستری

حافظه های الکترونیکی Flash memory

RAID چیست

لپ تاپ های کوچولو

حافظه های الکترونیکی Flash memory

حافظه ها ی الکترونیکی با اهداف متفاوت و به اشکال گوناگون تاکنون طراحی و عرضه شده اند. حافظه فلش ، یک نمونه از حافظه های الکترونیکی بوده که برای ذخیره سازی آسان و سریع اطلاعات در دستگاههائی نظیر : دوربین های دیجیتال ، کنسول بازیهای کامپیوتری و ... استفاده می گردد. حافظه فلش اغلب مشابه یک هارد استفاده می گردد تا حافظه اصلی .

در تجهیزات زیر از حافظه فلش استفاده می گردد :

•تراشه BIOS موجود در کامپیوتر

•CompactFlash که در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد . •SmartMedia که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد •Memory Stick که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .

•کارت های حافظه PCMCIA نوع I و II

•کارت های حافظه برای کنسول های بازیهای ویدئویی

مبانی حافظه فلش

حافظه فلاش یک نوع خاص از تراشه های EEPROM است . حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و یا ستون از دو ترانزیستور استفاده می گردد. دو ترانزیستور فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها Floating gate و دیگری Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانیکه لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار یک ذخیره خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار یک به صفر از فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد. از Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسید .در نهایت شارژ فوق تخلیه می گردد( زمین ) .شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک پخش کننده الکترون رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاد و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. در صورتیکه جریان گیت بیشتر از 50 درصد